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赫爾納供應(yīng)意大利OMAL磁傳感器RS2I 

赫爾納供應(yīng)意大利OMAL磁傳感器RS2I

赫爾納貿(mào)易優(yōu)勢供應(yīng),意大利總部直接采購，近30年進(jìn)口工業(yè)品經(jīng)驗(yàn),原裝產(chǎn)品，為您提供一對一好的解決方案，貨期穩(wěn)定。

OMAL磁傳感器主要產(chǎn)品：

OMAL磁傳感器

OMAL連接器

OMAL磁傳感器產(chǎn)品型號：

RS2I

RV2I

OMAL磁傳感器產(chǎn)品特點(diǎn)：

外殼：PA

工作電壓：10/110V AC/DC – 10/240V AC/DC

負(fù)載：10 W 直流/8 VA 交流

開關(guān)電流：400 mA，25°C

工作溫度：-25℃/+90℃

防護(hù)等級：IP67 EN60529 (DIN 40050)

工作指示燈：黃色LED

傳感器類型：PNP

OMAL磁傳感器產(chǎn)品應(yīng)用：

OMAL磁傳感器以磁傳感器為基礎(chǔ)的各種電流傳感器被用來監(jiān)測、控制和保護(hù)這些大功率器件。霍爾電流傳感器響應(yīng)速度快，且依靠磁場和被控電路耦合，不接入主電路，因而功耗低，抗過載能力強(qiáng)，線性好，可靠性高，既可作為大功率器件的過流保護(hù)驅(qū)動器，又可作為反饋器件，OMAL磁傳感器成為自控環(huán)路的一個控制環(huán)節(jié)。OMAL磁傳感器的發(fā)展,處理電路集成到一個單芯片上,制成了開關(guān)電路,單片集成磁傳感器之先河。已經(jīng)出現(xiàn)了磁敏電阻電路、巨磁阻電路等許多種功能性的集成磁傳感器。

OMAL磁傳感器薄膜技術(shù)的開發(fā)產(chǎn)量大增,成本大幅度下降。 強(qiáng)磁合金薄膜磁敏電阻器用的是強(qiáng)磁合金薄膜中的磁敏電阻各向效應(yīng)。在與薄膜表面平行的磁場作用下,強(qiáng)磁性合金薄膜的電阻率呈現(xiàn)出的變化。用這種效應(yīng)已制成磁阻器件。OMAL磁傳感器端磁阻橋已大量用于磁編碼器中,用來檢測和控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速。此外,還作成了磁阻磁強(qiáng)計(jì)、磁阻讀頭以及二維、三維磁阻器件等，它們可檢測10 - 10~10 - 2 T 的弱磁場,溫度穩(wěn)定性好, OMAL磁傳感器將成為弱磁場傳感和檢測的重要器件。間距：18毫米，橫截面：1毫米2，連接器：PA 66 + 30% FV，電壓：250V AC/300V DC，電流：16A工作電流：10A，工作溫度：-30°C / +125°C 。

OMAL磁傳感器磁電阻多層膜。由不同金屬、不同層數(shù)和層間材料的不同組合,可以制成不同的機(jī)制的巨磁電阻磁傳感器。OMAL磁傳感器它們呈現(xiàn)出的隨磁場而變化的電阻率,比單層的各向異性磁敏電阻器的,各種不同成分和比例的非晶材料的采用,OMAL磁傳感器發(fā)現(xiàn)的巨磁感應(yīng)效應(yīng)和巨磁阻抗效應(yīng),比巨磁電阻的響應(yīng),可能做成磁頭,成為高密度磁盤讀頭。用非晶合金的高導(dǎo)磁率特性和可做成細(xì)絲的機(jī)械特性,將它們用于磁通門和威根德等器件中,取代坡莫合金芯,使器件性能得到改善結(jié)構(gòu)材料。OMAL磁傳感器例如,在襯底上用分子束外延技術(shù)生長,形成假晶結(jié)構(gòu),產(chǎn)生二維電子氣層,其層厚這種材料的能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生改變。用這種材料來制作元件。