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公司簡(jiǎn)介：

我們的光刻膠、溶劑、蝕刻化學(xué)品、晶圓和電鍍電解液的產(chǎn)品范圍外，我們努力在我們的支持下，作為我們產(chǎn)品的用戶(hù)，使您在潔凈室中的工作盡可能高效，我們的集裝箱尺寸。

microchemicals蝕刻劑主要產(chǎn)品：

microchemicals蝕刻劑

microchemicals光刻膠

microchemicals蝕刻劑產(chǎn)品型號：

TiW etch 200

TechniEtch™CN10

microchemicals蝕刻劑產(chǎn)品特點(diǎn)：

清漆：商業(yè)酚醛清漆作為遮蔽清漆（例如 AZ ®光致抗蝕劑）

金屬：蝕金、鉻、鎳；銅

半導體材料：Si、SiO2、Si3N4

低底切（在層厚范圍內），結構分辨率低于1μm

對許多材料具有選擇性，包括電鍍金屬

與油漆掩模兼容

microchemicals蝕刻劑產(chǎn)品應用：

microchemicals蝕刻劑TiW etch 200是一種鈦鎢蝕刻劑，用于鈦鎢合金層的濕化學(xué)結構化，對金、鉑、鎳、鉻等金屬具有選擇性。常見(jiàn)的應用領(lǐng)域可以在半導體和微系統技術(shù)的粘合層結構中找到。銅鎳蝕刻液，堅硬和耐腐蝕的金屬，在顯微結構中經(jīng)常被用作基體和成長(cháng)的金屬層之間的厚度層。作為硅基底和鋁基底之間的分水嶺，它是阻止硅在 Alzur 中滲透的屏障。鋁尖峰是指鋁從中分離出來(lái)的硅回到空氣中，由此產(chǎn)生的短路。

microchemicals蝕刻劑TechniEtch™CN10是一種由硝酸和磷酸組成的銅和鎳蝕刻溶液。25° C 時(shí)的蝕刻速率約為每分鐘 0.3-0.4 µm。我們建議在 8-16% (30%) 的存在下執行蝕刻過(guò)程。如果不添加過(guò)氧化氫，蝕刻速率會(huì )顯著(zhù)降低且不均勻。microchemicals蝕刻劑蝕刻速率取決于鈦沉積工藝和所得的晶體結構。正電阻、負電阻和反轉電阻，在正性抗蝕劑的情況下，曝光區域由于在那里形成茚羧酸而變得可溶于顯影劑。由于正性抗蝕劑不會(huì )交聯(lián)，超過(guò)其軟化點(diǎn)（約 100-130°C）會(huì )導致抗蝕劑輪廓變圓。

microchemicals蝕刻劑AZ ® nLOF 2000 系列或AZ ® 15nXT和AZ ® 125nXT等負性抗蝕劑通過(guò)后續烘烤步驟（對于AZ ® 125nXT則不需要）在曝光區域中交聯(lián)，并保留在曝光區域中。顯影后的基材。microchemicals蝕刻劑室溫下銅的蝕刻速率通常約為 3 至 3.5 μm/min。只有添加氨來(lái)穩定 pH 值，蝕刻溶液才能連續運行（氨會(huì )隨著(zhù)時(shí)間的推移而逸出，具體取決于循環(huán)條件）。如果不進(jìn)行跟蹤，蝕刻液會(huì )提前耗盡。銅產(chǎn)量為 30 至 50 克/升。microchemicals蝕刻劑建議遲在蝕刻速率降低20%或蝕刻時(shí)間延長(cháng)不符合規范時(shí)丟棄該溶液。

microchemicals蝕刻劑Cu etch 200 UBM是一種中性（弱堿性）銅蝕刻劑，用于濕式化學(xué)去除銅層，作為電鍍開(kāi)始，對 Ni、Au、Cr、Sn、Ti 等金屬具有選擇性。適用于半導體和微系統技術(shù)，例如，在電鍍銅后去除起始層以進(jìn)行凸塊下金屬化 (UBM) 時(shí)。40°C 時(shí)的蝕刻速率通常為 10 至 15 nm/min，RT 時(shí)的蝕刻速率相應較低。在室溫下，約 180 秒即可結構化/去除 30 納米厚的鉻層。microchemicals蝕刻劑蝕刻液穩定，可根據要求多次使用。蝕刻混合物集中于Ti、TiW和TiN與Cu凸塊柱的連接，以自行混合。microchemicals蝕刻劑TechniEtch™ TBR19 濃縮物與大多數凸塊下金屬化 (UBM) 和銅柱集成材料兼容，例如銅、鋁、鎳、玻璃、有機基板和許多塑料，例如聚丙烯、HDPE、PFA、Kalrez PTFE、PEEK 和 PE。50℃時(shí)的蝕刻速率約為1000A/min。microchemicals蝕刻劑在高溫下，也能防止油漆輪廓變圓。然而，在高工藝溫度下，熱交程度會(huì )增加到濕化學(xué)剝離變得困難。